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2N7002K-7  与  2N7002LT1G  区别

型号 2N7002K-7 2N7002LT1G
唯样编号 A36-2N7002K-7 A36-2N7002LT1G
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 2N7002K Series 60 V 2 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率 - 225mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5 欧姆 @ 500mA,10V
上升时间 3.4ns -
Qg-栅极电荷 0.3nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 380mA 0.115A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 5V,10V
下降时间 9.9ns -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 50pF @ 25V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
高度 1mm -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
典型关闭延迟时间 15.7ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 2N7002 -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V 50pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.3nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 3.9ns -
库存与单价
库存 83,343 42,647
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6281
200+ :  ¥0.285
1,500+ :  ¥0.1785
3,000+ :  ¥0.123
70+ :  ¥0.7348
200+ :  ¥0.2899
1,500+ :  ¥0.2085
3,000+ :  ¥0.1442
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
2N7002K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

¥0.6281 

阶梯数 价格
80: ¥0.6281
200: ¥0.285
1,500: ¥0.1785
3,000: ¥0.123
83,343 当前型号
2N7002,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002_SOT-23

¥0.222 

阶梯数 价格
230: ¥0.222
1,500: ¥0.1392
3,000: ¥0.096
91,626 对比
2N7002P,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

2N7002P_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6732 

阶梯数 价格
80: ¥0.6732
200: ¥0.2665
1,500: ¥0.192
3,000: ¥0.132
59,018 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

¥0.8261 

阶梯数 价格
70: ¥0.8261
200: ¥0.3263
1,500: ¥0.2355
3,000: ¥0.162
45,786 对比
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7348 

阶梯数 价格
70: ¥0.7348
200: ¥0.2899
1,500: ¥0.2085
3,000: ¥0.1442
42,647 对比
2N7002ET1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 39,600 对比

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