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SCT3105KLHRC11  与  SCT3105KLGC11  区别

型号 SCT3105KLHRC11 SCT3105KLGC11
唯样编号 A33-SCT3105KLHRC11-0 A33-SCT3105KLGC11-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET SiC MOSFET
描述 SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 134W -
技术 SiCFET(碳化硅) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 137mΩ
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 1.2KV
Qg-栅极电荷 - 51 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 574pF @ 800V -
栅极电压Vgs - -4V,to22V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-247N TO-247N-3
工作温度 175°C(TJ) -55°C~175°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 3.81mA -
连续漏极电流Id - 24A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 137 毫欧 @ 7.6A,18V -
Vgs(最大值) +22V,-4V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 18V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 24A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 1200V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 51nC @ 18V -
库存与单价
库存 180 400
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
2+ :  ¥148.211
10+ :  ¥102.8479
50+ :  ¥97.1752
100+ :  ¥93.3901
2+ :  ¥136.2809
10+ :  ¥90.9083
50+ :  ¥85.2355
100+ :  ¥81.46
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3105KLHRC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥148.211 

阶梯数 价格
2: ¥148.211
10: ¥102.8479
50: ¥97.1752
100: ¥93.3901
180 当前型号
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥136.2809 

阶梯数 价格
2: ¥136.2809
10: ¥90.9083
50: ¥85.2355
100: ¥81.46
450 对比
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥136.2809 

阶梯数 价格
2: ¥136.2809
10: ¥90.9083
50: ¥85.2355
100: ¥81.46
400 对比
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

¥136.2809 

阶梯数 价格
2: ¥136.2809
10: ¥90.9083
50: ¥85.2355
100: ¥81.46
170 对比
SCT3105KLGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

null

暂无价格 0 对比

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