首页 > 商品目录 > > > > RTQ020N03TR代替型号比较

RTQ020N03TR  与  DMN3033LDM-7  区别

型号 RTQ020N03TR DMN3033LDM-7
唯样编号 A33-RTQ020N03TR-1 A36-DMN3033LDM-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 33 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-26-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 125mΩ@2A,4.5V 33mΩ@6.9A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23-6,TSOT-23-6 SOT-26
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2A(Ta) 6.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 755pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 13nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 135pF @ 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.3nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 6,000 9,286
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥1.4853
500+ :  ¥1.2553
1,000+ :  ¥1.2074
2,000+ :  ¥1.1691
4,000+ :  ¥1.1308
80+ :  ¥0.6787
200+ :  ¥0.5538
1,500+ :  ¥0.5018
3,000+ :  ¥0.4706
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6

¥1.4853 

阶梯数 价格
110: ¥1.4853
500: ¥1.2553
1,000: ¥1.2074
2,000: ¥1.1691
4,000: ¥1.1308
6,000 当前型号
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

暂无价格 21,000 对比
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

暂无价格 12,000 对比
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-26

¥0.6787 

阶梯数 价格
80: ¥0.6787
200: ¥0.5538
1,500: ¥0.5018
3,000: ¥0.4706
9,286 对比
ZXMN3A01E6TA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-6

¥2.046 

阶梯数 价格
30: ¥2.046
100: ¥1.639
750: ¥1.463
1,500: ¥1.375
3,000: ¥1.32
5,985 对比
DMN3051LDM-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-26

¥1.0208 

阶梯数 价格
50: ¥1.0208
200: ¥0.704
1,500: ¥0.6402
3,000: ¥0.5984
5,932 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售