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RSS100N03HZGTB  与  RSS090N03FRATB  区别

型号 RSS100N03HZGTB RSS090N03FRATB
唯样编号 A33-RSS100N03HZGTB A-RSS090N03FRATB
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 NCH 30V 10A AUTOMOTIVE POWER MOS
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 车规
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 16mOhms@9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1070 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SOIC
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 5 V -
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id - 9A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 13.3 毫欧 @ 10A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 15nC@5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 10A(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
漏源电压(Vdss) 30 V -
库存与单价
库存 2,410 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.6119
50+ :  ¥4.9062
100+ :  ¥4.3409
300+ :  ¥3.9576
500+ :  ¥3.8905
1,000+ :  ¥3.833
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSS100N03HZGTB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 150°C(TJ) 车规

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥4.9062
100: ¥4.3409
300: ¥3.9576
500: ¥3.8905
1,000: ¥3.833
2,410 当前型号
RSS090N03FRATB ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

9A(Ta) N-Channel 2.5V@1mA 1.4W(Ta) 8-SOIC -55℃~150℃(TJ) 30V 车规

暂无价格 0 对比

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