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RSQ035P03HZGTR  与  RQ6E035SPTR  区别

型号 RSQ035P03HZGTR RQ6E035SPTR
唯样编号 A33-RSQ035P03HZGTR-0 A-RQ6E035SPTR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 950mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 950mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 65mOhms@3.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 2.5V@1mA
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TSMT6(SC-95) TSOT-23-6
工作温度 150°C(TJ) 150℃(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 3.5A(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 65 毫欧 @ 3.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg - 9.2nC@5V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 3.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.2nC @ 5V -
库存与单价
库存 2,963 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.8652
100+ :  ¥2.3094
500+ :  ¥1.9453
1,000+ :  ¥1.8686
2,000+ :  ¥1.8111
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSQ035P03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

¥2.8652 

阶梯数 价格
60: ¥2.8652
100: ¥2.3094
500: ¥1.9453
1,000: ¥1.8686
2,000: ¥1.8111
2,963 当前型号
RQ6E035SPTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

¥4.2355 

阶梯数 价格
40: ¥4.2355
50: ¥3.8138
100: ¥3.0281
500: ¥2.7215
1,000: ¥2.5873
2,000: ¥2.5106
2,327 对比
RQ6E035SPTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

暂无价格 0 对比
RSQ035P03FRATR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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