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RSJ650N10TL  与  AOB288L  区别

型号 RSJ650N10TL AOB288L
唯样编号 A33-RSJ650N10TL-0 A-AOB288L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 14
Td(off)(ns) - 21.5
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@32.5A,10V 8.9mΩ@10V
ESD Diode - No
漏源极电压Vds 100V 80V
Rds On(Max)@4.5V - 12.2mΩ
Pd-功率耗散(Max) 100W 93.5W
Qrr(nC) - 162
VGS(th) - 3.4
Qgd(nC) - 4
栅极电压Vgs ±20V 20V
FET类型 N-Channel N-Channel
Td(on)(ns) - 11.5
封装/外壳 TO-263-3 TO-263
连续漏极电流Id 65A 46A
工作温度 -55℃~150℃ -
系列 RSJ650N10 -
Ciss(pF) - 1871
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 32
Coss(pF) - 265
Qg*(nC) - 26.5
库存与单价
库存 470 800
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
6+ :  ¥26.8595
10+ :  ¥22.5283
50+ :  ¥19.9219
100+ :  ¥17.7467
1+ :  ¥6.0816
100+ :  ¥4.3824
400+ :  ¥3.7722
800+ :  ¥2.98
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSJ650N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

¥26.8595 

阶梯数 价格
6: ¥26.8595
10: ¥22.5283
50: ¥19.9219
100: ¥17.7467
470 当前型号
AOB288L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥6.0816 

阶梯数 价格
1: ¥6.0816
100: ¥4.3824
400: ¥3.7722
800: ¥2.98
800 对比
BUK7610-100B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK7610-100B_SOT404

¥29.6007 

阶梯数 价格
180: ¥29.6007
400: ¥23.1256
800: ¥18.9554
0 对比
BUK9611-80E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9611-80E_SOT404

¥9.1806 

阶梯数 价格
210: ¥9.1806
400: ¥7.7802
800: ¥7.1378
0 对比
IRFS4410TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D²PAK(TO-263AB)

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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