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RSD175N10TL  与  RD3P175SNFRATL  区别

型号 RSD175N10TL RD3P175SNFRATL
唯样编号 A33-RSD175N10TL A33-RD3P175SNFRATL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 20W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 105mΩ
漏源极电压Vds - 100V
Pd-功率耗散(Max) - 20W
Qg-栅极电荷 - 24 nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 CPT3 TO-252-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 17.5A
通道数量 - 1 Channel
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 105 毫欧 @ 8.8A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17.5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 100V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V -
库存与单价
库存 239 861
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥4.3313
50+ :  ¥3.833
100+ :  ¥3.4114
20+ :  ¥10.5024
50+ :  ¥7.0048
100+ :  ¥5.5962
500+ :  ¥5.2512
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD175N10TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.3313 

阶梯数 价格
40: ¥4.3313
50: ¥3.833
100: ¥3.4114
239 当前型号
RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥10.5024 

阶梯数 价格
20: ¥10.5024
50: ¥7.0048
100: ¥5.5962
500: ¥5.2512
1,000: ¥5.0404
2,000: ¥4.9733
2,298 对比
RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥10.5024 

阶梯数 价格
20: ¥10.5024
50: ¥7.0048
100: ¥5.5962
500: ¥5.2512
861 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.1633 

阶梯数 价格
1: ¥1.1633
100: ¥0.8382
1,000: ¥0.7215
2,500: ¥0.57
283 对比
AOD2922 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
159 对比
IRLR3410PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比

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