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RS6L120BGTB1  与  SIR186LDP-T1-RE3  区别

型号 RS6L120BGTB1 SIR186LDP-T1-RE3
唯样编号 A33-RS6L120BGTB1 A-SIR186LDP-T1-RE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8 Single
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 120A 80.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7mΩ@90A,10V 4.4mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 104W 57W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 1,830 10
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
3+ :  ¥69.4629
10+ :  ¥15.7344
50+ :  ¥10.9048
100+ :  ¥10.3107
500+ :  ¥9.9083
1,000+ :  ¥9.822
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6L120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥69.4629 

阶梯数 价格
3: ¥69.4629
10: ¥15.7344
50: ¥10.9048
100: ¥10.3107
500: ¥9.9083
1,000: ¥9.822
1,830 当前型号
IRF7855 Infineon  数据手册 通用MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
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5-DFN(5x6)(8-SOFL)

¥3.025 

阶梯数 价格
20: ¥3.025
100: ¥2.321
750: ¥2.013
1,500: ¥1.903
1,784 对比
SIR186LDP-T1-RE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

PowerPAK®SO-8Single

暂无价格 10 对比

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