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RS1L151ATTB1  与  NTMFS5113PLT1G  区别

型号 RS1L151ATTB1 NTMFS5113PLT1G
唯样编号 A33-RS1L151ATTB1-0 A-NTMFS5113PLT1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 3W(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6900 pF @ 30 V -
FET类型 P-Channel -
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 130 nC @ 10 V -
工作温度 150°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 11.3 毫欧 @ 15A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 56A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 60 V -
库存与单价
库存 2,248 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥14.9678
50+ :  ¥11.1827
100+ :  ¥10.4257
500+ :  ¥9.8603
1,000+ :  ¥9.4866
2,000+ :  ¥9.41
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1L151ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥14.9678 

阶梯数 价格
20: ¥14.9678
50: ¥11.1827
100: ¥10.4257
500: ¥9.8603
1,000: ¥9.4866
2,000: ¥9.41
2,248 当前型号
NTMFS5113PLT1G ON Semiconductor 功率MOSFET

暂无价格 0 对比
BSO613SPVGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

车规

暂无价格 0 对比
NDS9407 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

3A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 150m Ohms@3A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC P-Channel 60V 3A 8-SOIC

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