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RS1E220ATTB1  与  BSC084P03NS3GATMA1  区别

型号 RS1E220ATTB1 BSC084P03NS3GATMA1
唯样编号 A33-RS1E220ATTB1-2 A-BSC084P03NS3GATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),69W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 4.1mOhm@22A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4785pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V@2mA -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 8-HSOP 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 22A(Ta),76A(Tc) -
工作温度 150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.1V @ 105uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 58nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.4 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±25V
栅极电荷Qg 130nC@10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14.9A(Ta),78.6A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 910 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥12.3805
50+ :  ¥7.8385
100+ :  ¥7.2731
500+ :  ¥6.8898
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E220ATTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

22A(Ta),76A(Tc) P-Channel 2.5V@2mA 3W(Ta) 8-HSOP 150℃(TJ) 30V

¥12.3805 

阶梯数 价格
20: ¥12.3805
50: ¥7.8385
100: ¥7.2731
500: ¥6.8898
910 当前型号
BSC084P03NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3 G_P 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC084P03NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC084P03NS3GATMA1_P-Channel 78.6A 69W 6.1mΩ 30V 3.1V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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