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RS1E170GNTB  与  BSZ058N03LSGATMA1  区别

型号 RS1E170GNTB BSZ058N03LSGATMA1
唯样编号 A33-RS1E170GNTB A-BSZ058N03LSGATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),45W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.7mΩ -
上升时间 4.8ns -
Qg-栅极电荷 12nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2400pF @ 15V
栅极电压Vgs 2.5V -
正向跨导 - 最小值 13S -
封装/外壳 HSOP-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 17A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5.8 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 3.7ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 3W -
典型关闭延迟时间 27ns -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.2V @ 250uA
通道数量 1Channel -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta),40A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 10ns -
库存与单价
库存 2,490 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.7433
50+ :  ¥3.0473
100+ :  ¥2.4819
500+ :  ¥2.0986
1,000+ :  ¥2.0219
2,000+ :  ¥1.9644
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS1E170GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

17A 3W 6.7mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

¥4.7433 

阶梯数 价格
40: ¥4.7433
50: ¥3.0473
100: ¥2.4819
500: ¥2.0986
1,000: ¥2.0219
2,000: ¥1.9644
2,490 当前型号
IRFHM8330TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.7W(Ta),33W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 6.6mΩ@20A,10V N-Channel 30V 16A 8-PQFN(3.3x3.3),Power33

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暂无价格 0 对比

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