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RQ6E045TNTR  与  RTQ045N03HZGTR  区别

型号 RQ6E045TNTR RTQ045N03HZGTR
唯样编号 A33-RQ6E045TNTR-1 A-RTQ045N03HZGTR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 950mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 43mOhms@4.5A,4.5V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 540pF @ 10V
栅极电压Vgs 1.5V@1mA -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 4.5A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 43 毫欧 @ 4.5A,4.5V
Vgs(最大值) ±12V ±12V
栅极电荷Qg 10.7nC@4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 4.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 10.7nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥1.974
100+ :  ¥1.6003
500+ :  ¥1.5237
1,000+ :  ¥1.4662
2,000+ :  ¥1.4278
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E045TNTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

4.5A(Ta) N-Channel 1.5V@1mA 950mW(Ta) TSOT-23-6 150℃(TJ) 30V

¥1.974 

阶梯数 价格
80: ¥1.974
100: ¥1.6003
500: ¥1.5237
1,000: ¥1.4662
2,000: ¥1.4278
3,000 当前型号
RTQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

¥2.9131 

阶梯数 价格
60: ¥2.9131
100: ¥2.3382
500: ¥1.9644
1,000: ¥1.8878
1,110 对比
RTQ045N03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) N 通道 TSMT6(SC-95) 车规

暂无价格 0 对比

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