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RQ6E035SPTR  与  RSQ035P03HZGTR  区别

型号 RQ6E035SPTR RSQ035P03HZGTR
唯样编号 A33-RQ6E035SPTR A33-RSQ035P03HZGTR-0
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 950mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 950mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 65mOhms@3.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs 2.5V@1mA -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TSOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) -
工作温度 150℃(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
栅极电荷Qg 9.2nC@5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 2,327 2,963
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
40+ :  ¥4.2355
50+ :  ¥3.8138
100+ :  ¥3.0281
500+ :  ¥2.7215
1,000+ :  ¥2.5873
2,000+ :  ¥2.5106
60+ :  ¥2.8652
100+ :  ¥2.3094
500+ :  ¥1.9453
1,000+ :  ¥1.8686
2,000+ :  ¥1.8111
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E035SPTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSOT-23-6

¥4.2355 

阶梯数 价格
40: ¥4.2355
50: ¥3.8138
100: ¥3.0281
500: ¥2.7215
1,000: ¥2.5873
2,000: ¥2.5106
2,327 当前型号
RSQ035P03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

¥2.8652 

阶梯数 价格
60: ¥2.8652
100: ¥2.3094
500: ¥1.9453
1,000: ¥1.8686
2,000: ¥1.8111
2,963 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
RSQ035P03HZGTR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比

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