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RQ6E035ATTCR  与  RSQ035P03TR  区别

型号 RQ6E035ATTCR RSQ035P03TR
唯样编号 A33-RQ6E035ATTCR A-RSQ035P03TR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.5A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 780pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23-6 TSMT6(SC-95)
连续漏极电流Id 3.5A(Ta) -
工作温度 150°C(TJ) 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 65 毫欧 @ 3.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 3.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V -
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 9.2nC @ 5V
库存与单价
库存 2,740 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.1561
100+ :  ¥1.5811
500+ :  ¥1.4662
1,000+ :  ¥1.3799
2,000+ :  ¥1.3224
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

P-Channel 30V 3.5A(Ta) ±20V 1.25W(Ta) 50mΩ@3.5A,10V 150°C(TJ) SOT-23-6

¥2.1561 

阶梯数 价格
70: ¥2.1561
100: ¥1.5811
500: ¥1.4662
1,000: ¥1.3799
2,000: ¥1.3224
2,740 当前型号
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

¥0.9405 

阶梯数 价格
60: ¥0.9405
200: ¥0.649
685 对比
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95)

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
DMP3050LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±25V 1.8W(Ta) 50mΩ@4.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 30V 4.5A

暂无价格 0 对比
TPC6110(TE85L,F,M) Toshiba  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8) 150°C(TJ) 30 V 4.5A(Ta)

暂无价格 0 对比

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