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RQ3L050GNTB  与  DMN6069SFGQ-7  区别

型号 RQ3L050GNTB DMN6069SFGQ-7
唯样编号 A33-RQ3L050GNTB A-DMN6069SFGQ-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 61mΩ@5A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) 14.8W(Tc) 2.4W
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 50mΩ@4.5A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1480 pF @ 30 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 25 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 12A(Tc) 18A(Tc)
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
驱动电压 - 4.5V,10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.8nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 694 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.7912
50+ :  ¥3.0856
100+ :  ¥2.5202
500+ :  ¥2.1369
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3L050GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥3.0856
100: ¥2.5202
500: ¥2.1369
694 当前型号
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V

¥2.167 

阶梯数 价格
30: ¥2.167
100: ¥1.65
1,000: ¥1.375
1,466 对比
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V

暂无价格 0 对比
DMN6069SFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 2.4W ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 60V 18A(Tc) 车规

暂无价格 0 对比

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