首页 > 商品目录 > > > > RQ3E180GNTB代替型号比较

RQ3E180GNTB  与  TPH3R003PL,LQ  区别

型号 RQ3E180GNTB TPH3R003PL,LQ
唯样编号 A33-RQ3E180GNTB-0 A-TPH3R003PL,LQ
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.3mΩ@18A,10V -
上升时间 6.9ns -
Qg-栅极电荷 22.4nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3825 pF @ 15 V
Vgs(th) - 2.1V @ 300uA
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 17S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 50 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 8-SOP Advance(5x5)
连续漏极电流Id 18A 88A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C 175°C(TJ)
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 10.2ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 30 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 90W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.2 毫欧 @ 44A,4.5V
典型关闭延迟时间 56.8ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 16.5ns -
库存与单价
库存 104 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.5681
100+ :  ¥2.2902
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
104 当前型号
AON7516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥1.2969 

阶梯数 价格
40: ¥1.2969
100: ¥0.9999
1,250: ¥0.8316
2,500: ¥0.7554
5,000: ¥0.693
23,786 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 对比
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 对比
AON7422E AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 0 对比
TPH3R003PL,LQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

8-SOPAdvance(5x5)

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售