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RQ3E075ATTB  与  DMP3035SFG-7  区别

型号 RQ3E075ATTB DMP3035SFG-7
唯样编号 A33-RQ3E075ATTB A-DMP3035SFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 15W(Tc) 950mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@8A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1633 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 17 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT PowerDI3333-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 7.5A 8.5A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
驱动电压 - 5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.4nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 15 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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