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RQ3E075ATTB  与  AONS21321  区别

型号 RQ3E075ATTB AONS21321
唯样编号 A33-RQ3E075ATTB-0 A-AONS21321
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V 16.5mΩ@-20A,-10V
漏源极电压Vds 30V -30V
Pd-功率耗散(Max) 15W(Tc) 24.5W
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 HSMT DFN 5x6
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 7.5A -24A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 930pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.4nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.8419
50+ :  ¥4.0151
100+ :  ¥3.8138
500+ :  ¥3.5551
1,000+ :  ¥3.4305
2,000+ :  ¥3.191
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT

¥6.8419 

阶梯数 价格
30: ¥6.8419
50: ¥4.0151
100: ¥3.8138
500: ¥3.5551
1,000: ¥3.4305
2,000: ¥3.191
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