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RND030N20TL  与  ZXMN20B28KTC  区别

型号 RND030N20TL ZXMN20B28KTC
唯样编号 A33-RND030N20TL A-ZXMN20B28KTC
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 750 mO 8.1 nC Surface Mount Mosfet - TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 850mW(Ta),20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 870 毫欧 @ 1.5A,10V 750mΩ@2.75A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) - 2.2W(Ta)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
连续漏极电流Id 3A(Tc) 2.3A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 358pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.1nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.2V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 270pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 6.7nC @ 10V -
库存与单价
库存 87 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥1.9932
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RND030N20TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥1.9932 

阶梯数 价格
80: ¥1.9932
87 当前型号
AOD450 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252 N-Channel 200V 30V 3.8A 25W 700mΩ@10V

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
758 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
STD5N20LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.2W(Ta) 750mΩ@2.75A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK N-Channel 200V 2.3A

暂无价格 0 对比

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