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RF4E110GNTR  与  SSM6K411TU(TE85L,F  区别

型号 RF4E110GNTR SSM6K411TU(TE85L,F
唯样编号 A33-RF4E110GNTR-0 A-SSM6K411TU(TE85L,F
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 10A UF6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.3mΩ@11A,10V -
上升时间 5.5ns -
Qg-栅极电荷 7.4nC -
产品状态 - 在售
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 710 pF @ 10 V
Vgs(th) - 1.2V @ 1mA
栅极电压Vgs ±20V -
正向跨导 - 最小值 6S -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 9.4 nC @ 4.5 V
封装/外壳 DFN2020-8 UF6
连续漏极电流Id 11A 10A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
配置 Single -
Vgs(最大值) - ±12V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 2.5V,4.5V
下降时间 3ns -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 20 V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 12 毫欧 @ 7A,4.5V
典型关闭延迟时间 21ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RF4E110GN -
通道数量 1Channel -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 2,490 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥1.9836
100+ :  ¥1.8878
500+ :  ¥1.5332
1,000+ :  ¥1.5332
2,000+ :  ¥1.5237
暂无价格
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80: ¥1.9836
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500: ¥1.5332
1,000: ¥1.5332
2,000: ¥1.5237
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