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RF4E070BNTR  与  SSM6K514NU,LF  区别

型号 RF4E070BNTR SSM6K514NU,LF
唯样编号 A33-RF4E070BNTR A-SSM6K514NU,LF
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 30V, 7A, 28.6 MOHM, PQFN 2X2 MOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 28.6mΩ@7A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V 40 V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 2.5W(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 11.6 毫欧 @ 4A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1110 pF @ 20 V
Vgs(th) - 2.4V @ 100uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 7.5 nC @ 4.5 V
封装/外壳 HUML2020L8 6-UDFNB(2x2)
工作温度 150°C(TJ) 150°C
连续漏极电流Id 7A 12A(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 410pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.9nC @ 10V -
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
70+ :  ¥2.3956
100+ :  ¥1.792
500+ :  ¥1.3895
1,000+ :  ¥1.3128
2,000+ :  ¥1.2458
暂无价格
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