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RD3L150SNFRATL  与  RSD150N06TL  区别

型号 RD3L150SNFRATL RSD150N06TL
唯样编号 A33-RD3L150SNFRATL A33-RSD150N06TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 15A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@15A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
Qg-栅极电荷 18 nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 930pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
连续漏极电流Id 15A -
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
配置 Single -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 40 毫欧 @ 15A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 18nC @ 10V
库存与单价
库存 4,569 699
工厂交货期 21 - 28天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥9.8028
50+ :  ¥6.5352
100+ :  ¥5.232
500+ :  ¥4.8967
1,000+ :  ¥4.705
2,000+ :  ¥4.6379
4,000+ :  ¥4.6092
30+ :  ¥7.2348
50+ :  ¥4.1588
100+ :  ¥3.948
500+ :  ¥3.6893
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3L150SNFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3

¥9.8028 

阶梯数 价格
20: ¥9.8028
50: ¥6.5352
100: ¥5.232
500: ¥4.8967
1,000: ¥4.705
2,000: ¥4.6379
4,000: ¥4.6092
4,569 当前型号
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥7.2348 

阶梯数 价格
30: ¥7.2348
50: ¥4.1588
100: ¥3.948
500: ¥3.6893
1,000: ¥3.5551
2,000: ¥3.306
2,500 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥7.2348 

阶梯数 价格
30: ¥7.2348
50: ¥4.1588
100: ¥3.948
500: ¥3.6893
699 对比
RSD150N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

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