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RD3L140SPFRATL  与  RSD140P06TL  区别

型号 RD3L140SPFRATL RSD140P06TL
唯样编号 A33-RD3L140SPFRATL-0 A32-RSD140P06TL
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 20W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 84mΩ@-14A,-10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds -60V -
产品特性 车规 -
Pd-功率耗散(Max) 20W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 10V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 TO-252-3 CPT3
工作温度 -55°C~150°C 150°C(TJ)
连续漏极电流Id ±14A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3V @ 1mA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 84 毫欧 @ 14A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 14A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 27nC @ 10V
库存与单价
库存 2,500 58
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥6.909
50+ :  ¥5.2129
100+ :  ¥4.6379
500+ :  ¥4.2642
1,000+ :  ¥4.1876
2,000+ :  ¥4.1301
1+ :  ¥1.8748
25+ :  ¥1.7359
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RD3L140SPFRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3 P-Channel 20W 84mΩ@-14A,-10V -55°C~150°C ±20V -60V ±14A 车规

¥6.909 

阶梯数 价格
30: ¥6.909
50: ¥5.2129
100: ¥4.6379
500: ¥4.2642
1,000: ¥4.1876
2,000: ¥4.1301
2,500 当前型号
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

¥6.4011 

阶梯数 价格
30: ¥6.4011
50: ¥4.705
100: ¥4.1301
500: ¥3.7564
1,000: ¥3.6797
2,000: ¥3.6222
4,000: ¥3.5839
7,169 对比
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

¥1.8748 

阶梯数 价格
1: ¥1.8748
25: ¥1.7359
58 对比
RSD140P06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 CPT3

暂无价格 0 对比
RSD140P06FRATL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 0 对比

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