首页 > 商品目录 > > > > R6077VNZ4C13代替型号比较

R6077VNZ4C13  与  IPW60R041C6FKSA1  区别

型号 R6077VNZ4C13 IPW60R041C6FKSA1
唯样编号 A33-R6077VNZ4C13-0 A-IPW60R041C6FKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 600V 77A TO-247, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 481W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 0.042Ω@15V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 781W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6530pF @ 10V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-247 TO-247-3
连续漏极电流Id 77A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 2.96mA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 290nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 41 毫欧 @ 44.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 77.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 226 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
2+ :  ¥106.1347
10+ :  ¥57.8203
50+ :  ¥51.7833
100+ :  ¥47.7491
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6077VNZ4C13 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247

¥106.1347 

阶梯数 价格
2: ¥106.1347
10: ¥57.8203
50: ¥51.7833
100: ¥47.7491
226 当前型号
IPW60R041C6FKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041C6_TO-247-3

暂无价格 0 对比
IPW60R041C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R041C6FKSA1_16.13mm

暂无价格 0 对比
STW56N60DM2 STMicro  数据手册 集成电路(芯片)

TO-247-3

暂无价格 15,600 对比
STW65N60DM6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
NVHL040N60S5F ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售