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R6030KNXC7  与  IPA60R120P7  区别

型号 R6030KNXC7 IPA60R120P7
唯样编号 A33-R6030KNXC7 A-IPA60R120P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 86W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 120mΩ@8.2A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 28W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2350pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220FM PG-TO220-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
连续漏极电流Id - 26A(Tc)
系列 - CoolMOS™ P7
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 130 毫欧 @ 14.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 410µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1544pF @ 400V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 36nC @ 10V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 10V -
库存与单价
库存 378 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
10+ :  ¥15.3511
50+ :  ¥15.0636
100+ :  ¥14.7761
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6030KNXC7 ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-220FM

¥15.3511 

阶梯数 价格
10: ¥15.3511
50: ¥15.0636
100: ¥14.7761
378 当前型号
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