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R6024KNX  与  STF24N60M2  区别

型号 R6024KNX STF24N60M2
唯样编号 A33-R6024KNX A36-STF24N60M2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 600 V 190 mO Flange Mount MDMesh II Plus Mosfet - TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@11.3A,10V 190mΩ@9A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 74W(Tc) 30W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±25V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP
连续漏极电流Id 24A(Tc) 18A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - MDmesh™ II Plus
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 29nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 45nC @ 10V -
库存与单价
库存 60 2,579
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥13.3962
50+ :  ¥13.1471
20+ :  ¥4.895
100+ :  ¥3.916
1,000+ :  ¥3.63
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6024KNX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥13.3962 

阶梯数 价格
20: ¥13.3962
50: ¥13.1471
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阶梯数 价格
8: ¥6.985
100: ¥5.577
1,000: ¥5.17
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STF24N60M2 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220FP

¥4.895 

阶梯数 价格
20: ¥4.895
100: ¥3.916
1,000: ¥3.63
2,579 对比

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