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R6015ANX  与  STF13NM60N  区别

型号 R6015ANX STF13NM60N
唯样编号 A33-R6015ANX-0 A36-STF13NM60N
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.36 Ohm 27 nC 90 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 360mΩ@5.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 25W(Tc)
栅极电压Vgs - ±25V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 - TO-220FP
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 11A
系列 - MDmesh™ II
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 790pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 30nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
库存与单价
库存 229 2,243
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
3+ :  ¥53.8148
10+ :  ¥31.2483
50+ :  ¥25.5755
100+ :  ¥21.7904
20+ :  ¥3.74
100+ :  ¥2.992
1,000+ :  ¥2.772
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6015ANX ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥53.8148 

阶梯数 价格
3: ¥53.8148
10: ¥31.2483
50: ¥25.5755
100: ¥21.7904
229 当前型号
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 8,000 对比
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

¥3.74 

阶梯数 价格
20: ¥3.74
100: ¥2.992
1,000: ¥2.772
2,243 对比
STF13NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

±25V 25W(Tc) 360mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 11A

暂无价格 0 对比
IPA60R360P7 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R360P7XKSA1_360mΩ 600V 9A TO-220 FullPAK N-Channel -55°C~150°C 3V,4V

暂无价格 0 对比
IPA65R380E6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA65R380E6XKSA1_650V 10.6A 340mΩ 20V 31W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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