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R6012ANJTL  与  IPB65R420CFD  区别

型号 R6012ANJTL IPB65R420CFD
唯样编号 A33-R6012ANJTL A-IPB65R420CFD
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 100W(Tc) -
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 420 毫欧 @ 6A,10V 420mΩ
上升时间 - 7ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) - 83.3W
Qg-栅极电荷 - 32nC
栅极电压Vgs ±30V 30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB -
连续漏极电流Id 12A(Ta) 8.7A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSCFD2
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA 4.5V @ 340µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1300pF @ 25V 870pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 35nC @ 10V 32nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 90 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥10.3778
50+ :  ¥10.1861
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6012ANJTL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥10.3778 

阶梯数 价格
20: ¥10.3778
50: ¥10.1861
90 当前型号
IPB65R420CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB65R420CFDATMA1_-55°C~150°C(TJ) 650V 8.7A 420mΩ 30V 83.3W N-Channel

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