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R6008ANX  与  AOTF10N60  区别

型号 R6008ANX AOTF10N60
唯样编号 A33-R6008ANX A36-AOTF10N60-0
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 50W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 800 毫欧 @ 4A,10V 750mΩ@5A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220F
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 8A(Tc) 10A
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 1mA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 1,722
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥7.3881
50+ :  ¥7.2539
100+ :  ¥7.1102
9+ :  ¥6.0588
100+ :  ¥4.851
1,000+ :  ¥4.653
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6008ANX ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥7.3881 

阶梯数 价格
30: ¥7.3881
50: ¥7.2539
100: ¥7.1102
100 当前型号
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

¥6.0588 

阶梯数 价格
9: ¥6.0588
100: ¥4.851
1,000: ¥4.653
1,722 对比
AOTF10N60 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-220F N-Channel 600V ±30V 10A 50W 750mΩ@5A,10V -55°C~150°C

暂无价格 969 对比
IPA60R800CE Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R800CEXKSA1_800mΩ 600V 5.6A TO-220 FullPAK N-Channel -40°C~150°C 2.5V,3.5V

暂无价格 0 对比
AOTF10N60_003 AOS  数据手册 功率MOSFET

10A(Tc) N-Channel ±30V 750 mΩ @ 5A,10V TO-220-3F 50W(Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 600V

暂无价格 0 对比
FCPF850N80Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

6 A Tube N-Channel 850 m0hms 800 V 20V 4.5 V 800V 6A(Tc) ±20V 28.4W(Tc) 850mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3

暂无价格 0 对比

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