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R6007ENX  与  IPA60R750E6XKSA1  区别

型号 R6007ENX IPA60R750E6XKSA1
唯样编号 A33-R6007ENX-0 A-IPA60R750E6XKSA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 27W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 620mΩ@2.4A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 373pF @ 100V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3 整包
连续漏极电流Id 7A(Tc) -
工作温度 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 170uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17.2nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 750 毫欧 @ 2A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 5.7A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 390pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V -
库存与单价
库存 212 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥5.05
50+ :  ¥4.9542
100+ :  ¥4.8583
暂无价格
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