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IRLB3036PBF  与  PSMN4R6-60PS,127  区别

型号 IRLB3036PBF PSMN4R6-60PS,127
唯样编号 A33-IRLB3036PBF A-PSMN4R6-60PS,127
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 380 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.4mΩ@165A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 380W(Tc) 211W
输出电容 - 567pF
栅极电压Vgs ±16V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB SOT78
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 270A 100A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
输入电容 - 4426pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 11210pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 13 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
6+ :  ¥27.1182
10+ :  ¥21.4646
20+ :  ¥11.1096
50+ :  ¥9.1062
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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