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IMD9AT108  与  RN4607(TE85L,F)  区别

型号 IMD9AT108 RN4607(TE85L,F)
唯样编号 A33-IMD9AT108-0 A-RN4607(TE85L,F)
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 IMD9A Series 50 V 100 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
R2 47K/47K Ohms -
功率耗散Pd 300mW -
功率 - 300mW
特征频率fT 250MHz,250MHz -
电阻器-发射极(R2) - 47 千欧
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值) - 300mV @ 250uA,5mA
集电极-射极饱和电压 300mV,-300mV -
产品状态 - 在售
电流-集电极(Ic)(最大值) - 100mA
电阻器-基极(R1) - 10 千欧
封装/外壳 SOT-457 SM6
电压-集射极击穿(最大值) - 50V
工作温度 -55℃~150℃ -
频率-跃迁 - 200MHz
集电极连续电流 100mA,-100mA -
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 10mA,5V
电流-集电极截止(最大值) - 100nA(ICBO)
直流电流增益hFE 68,68 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V,-50V -
晶体管类型 NPN/PNP 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
R1 10K/10K Ohms -
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.7023
100+ :  ¥1.7728
500+ :  ¥1.1499
1,000+ :  ¥1.074
2,000+ :  ¥0.9746
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IMD9AT108 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-457

¥2.7023 

阶梯数 价格
60: ¥2.7023
100: ¥1.7728
500: ¥1.1499
1,000: ¥1.074
2,000: ¥0.9746
3,000 当前型号
RN4607(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SM6

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