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EM6J1T2R  与  VT6J1T2CR  区别

型号 EM6J1T2R VT6J1T2CR
唯样编号 A33-EM6J1T2R-0 A-VT6J1T2CR
制造商 ROHM Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω@200mA,4.5V 3.8Ω@100mA,4.5V
上升时间 - 62ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 150mW 120mW
Qg-栅极电荷 1.4nC -
栅极电压Vgs ±10V 1V
典型关闭延迟时间 - 325ns
FET类型 2P-Channel P-Channel
封装/外壳 SOT-563-6 VMT-6
连续漏极电流Id 200mA 100mA
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C
系列 EM6J1 VT6J1
通道数量 2Channel 2Channel
配置 Dual Dual
下降时间 - 137ns,137ns
典型接通延迟时间 - 46ns
库存与单价
库存 8,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥6.2382
50+ :  ¥3.3826
100+ :  ¥2.434
500+ :  ¥1.8015
1,000+ :  ¥1.6674
2,000+ :  ¥1.5716
4,000+ :  ¥1.4949
1,310+ :  ¥1.2396
4,000+ :  ¥0.8404
8,000+ :  ¥0.6076
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-563-6

¥6.2382 

阶梯数 价格
30: ¥6.2382
50: ¥3.3826
100: ¥2.434
500: ¥1.8015
1,000: ¥1.6674
2,000: ¥1.5716
4,000: ¥1.4949
8,000 当前型号
VT6J1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT-6

暂无价格 100 对比
VT6J1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT-6

暂无价格 45 对比
VT6J1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT-6

¥1.2396 

阶梯数 价格
1,310: ¥1.2396
4,000: ¥0.8404
8,000: ¥0.6076
0 对比
SSM6P36FE,LM Toshiba  数据手册 通用MOSFET

ES6

暂无价格 0 对比

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