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DTD513ZETL  与  DTC143ZET1G  区别

型号 DTD513ZETL DTC143ZET1G
唯样编号 A33-DTD513ZETL A36-DTC143ZET1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 1/5W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-416 SOT-416
工作温度 -55℃~150℃ -
Power-Max - 200mW
晶体管类型 NPN -
R1 1K Ohms -
R2 10K Ohms -
功率耗散Pd 150mW -
特征频率fT 260MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 4.7k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 80 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) - 4.7k
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 500mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) - 47K Ohms
直流电流增益hFE 140 -
集电极-发射极最大电压VCEO 12V -
库存与单价
库存 5,684 337
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
170+ :  ¥0.8851
500+ :  ¥0.8851
1,000+ :  ¥0.8851
2,000+ :  ¥0.8851
4,000+ :  ¥0.8652
80+ :  ¥0.7117
200+ :  ¥0.2808
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTD513ZETL ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.8851 

阶梯数 价格
170: ¥0.8851
500: ¥0.8851
1,000: ¥0.8851
2,000: ¥0.8851
4,000: ¥0.8652
5,684 当前型号
DDTC113ZE-7-F Diodes Incorporated  数据手册 数字晶体管

¥0.234 

阶梯数 价格
220: ¥0.234
1,500: ¥0.204
3,000: ¥0.18
19,250 对比
DDTC143ZE-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-523

¥0.6919 

阶梯数 价格
80: ¥0.6919
200: ¥0.273
1,250 对比
DTC143ZET1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.7117 

阶梯数 价格
80: ¥0.7117
200: ¥0.2808
337 对比
DTC143ZET1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-416

¥0.2714 

阶梯数 价格
1: ¥0.2714
25: ¥0.2339
100: ¥0.2018
300 对比
DDTC143ZE-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-523

暂无价格 0 对比

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