首页 > 商品目录 > > > > DTC124GUAT106代替型号比较

DTC124GUAT106  与  MUN5215T1G  区别

型号 DTC124GUAT106 MUN5215T1G
唯样编号 A33-DTC124GUAT106 A32-MUN5215T1G
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) - 500nA
电流 - 集电极截止(最大值) - 500nA
功率 - 0.202W
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) - 160 @ 5mA,10V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
电压 - 集射极击穿(最大值) - 50V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) - 100mA
封装/外壳 SOT-323 SC-70,SOT-323
VCBO 50V -
工作温度 -55℃~150℃ -
VEBO 5V -
Power-Max - 202mW
晶体管类型 NPN -
R2 22K Ohms -
功率耗散Pd 200mW -
特征频率fT 250MHz -
电阻器-基底(R1)(欧姆) - 10k
集电极-射极饱和电压 300mV -
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) - 250mV @ 1mA,10mA
FET类型 - NPN
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) - 160 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底(R1)(欧姆) - 10k
集电极_发射极击穿电压VCEO - 50V
集电极连续电流 100mA -
集电极最大允许电流Ic - 100mA
直流电流增益hFE 56 -
集电极-发射极最大电压VCEO 50V -
库存与单价
库存 2,628 3,000
工厂交货期 21 - 28天 7 - 14天
单价(含税)
560+ :  ¥0.2703
1,000+ :  ¥0.2703
2,000+ :  ¥0.2703
1+ :  ¥0.137
25+ :  ¥0.1182
100+ :  ¥0.1017
1,000+ :  ¥0.0876
3,000+ :  ¥0.0756
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DTC124GUAT106 ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.2703 

阶梯数 价格
560: ¥0.2703
1,000: ¥0.2703
2,000: ¥0.2703
2,628 当前型号
DDTC144TUA-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.4225 

阶梯数 价格
120: ¥0.4225
200: ¥0.273
3,000: ¥0.243
3,000 对比
MUN5215T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

SC-70,SOT-323

¥0.137 

阶梯数 价格
1: ¥0.137
25: ¥0.1182
100: ¥0.1017
1,000: ¥0.0876
3,000: ¥0.0756
3,000 对比
RN1310(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SC-70

¥0.4114 

阶梯数 价格
370: ¥0.4114
500: ¥0.4114
1,000: ¥0.4114
2,000: ¥0.3879
2,964 对比
RN1313(TE85L,F) Toshiba  数据手册 通用三极管

SC-70

¥0.4114 

阶梯数 价格
370: ¥0.4114
500: ¥0.4114
1,000: ¥0.4114
2,000: ¥0.3879
2,938 对比
DDTC123TUA-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-323

¥0.4225 

阶梯数 价格
120: ¥0.4225
200: ¥0.273
2,888 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售