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STP26NM60N  与  SCT2120AFC  区别

型号 STP26NM60N SCT2120AFC
唯样编号 A32-STP26NM60N-0 A36-SCT2120AFC
制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.165 Ohm 60 nC 140 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3 SCT2120AFC - 650 V 120 mO 61 nC N-Channel SIC Power MosFet - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 165mΩ@10A,10V 156mΩ@10A,18V
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 165W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V +22V,-6V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220AB
工作温度 150°C(TJ) 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 20A(Tc) 29A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 3.3mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1200pF @ 500V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 61nC @ 18V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1800pF @ 50V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,999 0
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥6.4482
25+ :  ¥6.2002
50+ :  ¥5.9618
100+ :  ¥5.7325
200+ :  ¥5.512
500+ :  ¥5.3
1,000+ :  ¥5.194
暂无价格
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TO-220-3

¥6.4482 

阶梯数 价格
1: ¥6.4482
25: ¥6.2002
50: ¥5.9618
100: ¥5.7325
200: ¥5.512
500: ¥5.3
1,000: ¥5.194
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