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RTR040N03TL  与  IRLML2502TRPBF  区别

型号 RTR040N03TL IRLML2502TRPBF
唯样编号 A32-RTR040N03TL A36-IRLML2502TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 RTR020N05 Series N-Channel 30 V 48 mOhm 1 W Surface Mount Mosfet - TSMT-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.60mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 48mΩ 45mΩ@4.2A,4.5V
上升时间 18ns -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1W 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs 12V ±12V
典型关闭延迟时间 37ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSMT TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 4.2A(Ta)
系列 RTR040N03 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 475pF @ 10V 740pF @ 15V
长度 2.9mm -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V 12nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
下降时间 19ns -
典型接通延迟时间 10ns -
高度 0.85mm -
库存与单价
库存 100 46,837
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥1.9193
25+ :  ¥1.6545
100+ :  ¥1.4263
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
3,000+ :  ¥0.455
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR040N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TSMT 2.9mm

¥1.9193 

阶梯数 价格
1: ¥1.9193
25: ¥1.6545
100: ¥1.4263
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DMN3404L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23 2.9mm

¥0.3238 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.3238
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DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 对比
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
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DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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暂无价格 35,000 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
33,924 对比

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