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RSD131P10TL  与  ZXMP10A18KTC  区别

型号 RSD131P10TL ZXMP10A18KTC
唯样编号 A32-RSD131P10TL A-ZXMP10A18KTC
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 未分类 功率MOSFET
描述 P-Channel 100 V 0.15 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 850mW(Ta),20W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 200 毫欧 @ 6.5A,10V 150mΩ@2.8A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) - 2.17W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 DPAK
连续漏极电流Id 13A(Tc) 5.9A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1055pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.9nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥3.0676
10+ :  ¥2.9216
50+ :  ¥2.7825
100+ :  ¥2.6499
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD131P10TL ROHM Semiconductor  数据手册 未分类

¥3.0676 

阶梯数 价格
1: ¥3.0676
10: ¥2.9216
50: ¥2.7825
100: ¥2.6499
100 当前型号
ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.17W(Ta) 150mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 5.9A

¥3.19 

阶梯数 价格
20: ¥3.19
100: ¥2.453
1,250: ¥2.134
2,500: ¥2.035
3,000 对比
ZXMP10A18KTC Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.17W(Ta) 150mΩ@2.8A,10V -55°C~150°C(TJ) DPAK P-Channel 100V 5.9A

暂无价格 0 对比

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