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RS6P100BHTB1  与  IRF7473  区别

型号 RS6P100BHTB1 IRF7473
唯样编号 A32-RS6P100BHTB1-0 A-IRF7473
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Nch 100V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.9mΩ@90A,10V 26mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 104W -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 19.0nC
封装/外壳 HSOP8 (Single) SO-8
Mounting - SMD
连续漏极电流Id 100A 5.7A
工作温度 -55℃~150℃ -
QG - 61.0nC
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.47
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥12.0176
10+ :  ¥11.1275
50+ :  ¥10.3031
100+ :  ¥9.54
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6P100BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥12.0176 

阶梯数 价格
1: ¥12.0176
10: ¥11.1275
50: ¥10.3031
100: ¥9.54
100 当前型号
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