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RH6P040BHTB1  与  ISZ230N10NM6  区别

型号 RH6P040BHTB1 ISZ230N10NM6
唯样编号 A32-RH6P040BHTB1 A-ISZ230N10NM6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSMT8 PG-TSDSON-8 FL
连续漏极电流Id 40A -
工作温度 -55°C~150°C -
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V -
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 59W -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
100+ :  ¥5.7239
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 40A 100V HSMT8 59W ±20V 15.6mΩ@40A,10V -55°C~150°C

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
100: ¥5.7239
100 当前型号
IRFHM3911 Infineon  数据手册 功率MOSFET

115mΩ 100V PQFN 3.3 x 3.3 B N-Channel 20V 11A

暂无价格 0 对比
BSZ340N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ340N08NS3GATMA1_80V 23A 34mΩ@12A,10V 20V 32W -55°C~150°C PG-TSDSON-8 N-Channel

暂无价格 0 对比
ISZ230N10NM6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

PG-TSDSON-8 FL

暂无价格 0 对比
BSZ146N10LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ146N10LS5ATMA1_100V 40A 20.8mΩ -55.0°C N-Channel 1.1V,2.3V

暂无价格 0 对比
BSZ150N10LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ150N10LS3GATMA1_100V 40A 15mΩ 10V 63W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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