首页 > 商品目录 > > > > NTF3055-100T1G代替型号比较

NTF3055-100T1G  与  ZVN2106GTA  区别

型号 NTF3055-100T1G ZVN2106GTA
唯样编号 A32-NTF3055-100T1G A36-ZVN2106GTA
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.3W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 110 毫欧 @ 1.5A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) - 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2Ω@1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 75 pF @ 18 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 3A 710mA(Ta)
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 455pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 22nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
库存与单价
库存 29 3,081
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.7488
25+ :  ¥0.6455
20+ :  ¥2.706
50+ :  ¥2.09
1,000+ :  ¥1.738
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTF3055-100T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-223

¥0.7488 

阶梯数 价格
1: ¥0.7488
25: ¥0.6455
29 当前型号
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

暂无价格 24,000 对比
IRLL014NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥1.65 

阶梯数 价格
40: ¥1.65
100: ¥1.265
1,250: ¥1.111
2,500: ¥1.045
11,126 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥2.398 

阶梯数 价格
30: ¥2.398
100: ¥1.914
1,000: ¥1.716
2,000: ¥1.617
3,499 对比
ZVN2106GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223-3

¥2.706 

阶梯数 价格
20: ¥2.706
50: ¥2.09
1,000: ¥1.738
3,081 对比
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-223

¥0.9944 

阶梯数 价格
60: ¥0.9944
200: ¥0.6864
1,905 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售