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NTD4302T4G  与  IRLR7821TRPBF  区别

型号 NTD4302T4G IRLR7821TRPBF
唯样编号 A32-NTD4302T4G A-IRLR7821TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.04W(Ta),75W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10 毫欧 @ 20A,10V 10mΩ@15A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) - 75W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DPAK D-Pak
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.4A(Ta),68A(Tc) 65A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 24V 1030pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V 14nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 24V 1030pF @ 15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 80nC @ 10V 14nC @ 4.5V
库存与单价
库存 20 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥5.571
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