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FQP30N06L  与  PSMN7R6-60PS,127  区别

型号 FQP30N06L PSMN7R6-60PS,127
唯样编号 A32-FQP30N06L A-PSMN7R6-60PS,127
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 60 V 40 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220 MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 79W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 35 毫欧 @ 16A,10V -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 79W(Tc) 149W
输出电容 - 342pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 32A(Tc) 92A
系列 QFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 25V -
输入电容 - 2651pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 7.8mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1040pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 5V -
库存与单价
库存 8 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.9286
20+ :  ¥8.6807
50+ :  ¥7.1153
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FQP30N06L ON Semiconductor 功率MOSFET

79W(Tc) 35mΩ@16A,10V -55°C~175°C(TJ) 32A N-Channel 60V 32A(Tc) ±20V 35 毫欧 @ 16A,10V -55°C ~ 175°C(TJ) TO-220AB TO-220-3

¥1.9286 

阶梯数 价格
1: ¥1.9286
8 当前型号
PSMN7R6-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R6-60PS_SOT78 N-Channel 149W 175℃ 3V 60V 92A

¥8.6807 

阶梯数 价格
20: ¥8.6807
50: ¥7.1153
0 对比
IRFZ34NPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 68W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 40mΩ@16A,10V N-Channel 55V 29A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFZ44EPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 110W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 23mΩ@29A,10V N-Channel 60V 48A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IRFZ44E Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 60V 48A(Tc) ±20V 110W(Tc) 23mΩ@29A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 对比

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