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FDP090N10  与  PSMN9R5-100PS,127  区别

型号 FDP090N10 PSMN9R5-100PS,127
唯样编号 A32-FDP090N10 A-PSMN9R5-100PS,127
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 89A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 208W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 75A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 208W(Tc) 211W
输出电容 - 302pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 SOT78
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 75A(Tc) 89A
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8225pF @ 25V -
输入电容 - 4454pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 9.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8225pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 116nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.777
25+ :  ¥1.5317
100+ :  ¥1.3205
20+ :  ¥11.0802
50+ :  ¥9.0821
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP090N10 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥1.777 

阶梯数 价格
1: ¥1.777
25: ¥1.5317
100: ¥1.3205
100 当前型号
STP100N10F7 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 1,000 对比
PSMN013-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN013-100PS_TO-220

¥9.4602 

阶梯数 价格
20: ¥9.4602
50: ¥7.7543
0 对比
PSMN9R5-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN9R5-100PS_SOT78

¥11.0802 

阶梯数 价格
20: ¥11.0802
50: ¥9.0821
0 对比
IPP100N08N3GXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP100N08N3 G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN016-100PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN016-100PS_SOT78

¥8.8599 

阶梯数 价格
20: ¥8.8599
50: ¥7.2622
0 对比

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