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FDMA410NZ  与  DMN2022UFDF-7  区别

型号 FDMA410NZ DMN2022UFDF-7
唯样编号 A32-FDMA410NZ A36-DMN2022UFDF-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 20 V 23 mO 2.4 W PowerTrench® Mosfet - MICROFET-6 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.4W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 23 毫欧 @ 9.5A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.4W(Ta) 660mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 22mΩ@4A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 907 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18 nC @ 8 V
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘 U-DFN2020-6(F 类)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.5A(Ta) 7.9A(Ta)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
驱动电压 - 1.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1080pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.5334
25+ :  ¥0.4599
100+ :  ¥0.3965
暂无价格
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FDMA410NZ ON Semiconductor 功率MOSFET

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¥0.5334 

阶梯数 价格
1: ¥0.5334
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