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CSD18543Q3AT  与  TPH7R006PL,L1Q  区别

型号 CSD18543Q3AT TPH7R006PL,L1Q
唯样编号 A32-CSD18543Q3AT A-TPH7R006PL,L1Q
制造商 TI Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 66W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6 毫欧 @ 12A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 81W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 13.5 毫欧 @ 10A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1875 pF @ 30 V
Vgs(th) - 2.5V @ 200uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 22 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerVDFN 8-SOP Advance(5x5)
连续漏极电流Id 12A(Ta),60A(Tc) 60A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 175°C(TJ)
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.7V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14.5nC @ 10V -
库存与单价
库存 3,450 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥1.9634
25+ :  ¥1.8699
100+ :  ¥1.7808
250+ :  ¥1.696
500+ :  ¥1.6536
1,000+ :  ¥1.6123
2,500+ :  ¥1.5719
暂无价格
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1: ¥1.9634
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100: ¥1.7808
250: ¥1.696
500: ¥1.6536
1,000: ¥1.6123
2,500: ¥1.5719
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