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BSS138  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 BSS138 BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A32-BSS138 A36-BSS138NH6327XTSA2
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs
规格信息
功率 360mW(Ta) -
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.5 欧姆 @ 220mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 50V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
连续漏极电流Id 220mA(Ta) -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 27pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.4nC @ 10V -
库存与单价
库存 7 24,457
工厂交货期 7 - 14天 3 - 15天
单价(含税)
1+ :  ¥0.2591
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS138 ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.2591 

阶梯数 价格
1: ¥0.2591
7 当前型号
BSS138LT1G ON Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5473 

阶梯数 价格
100: ¥0.5473
200: ¥0.3523
1,500: ¥0.3068
3,000: ¥0.2717
75,623 对比
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,457 对比
DMN5L06K-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 19,500 对比
RUC002N05T116 ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.117 

阶梯数 价格
3,000: ¥0.117
12,000 对比
BSS138W-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SC-70,SOT-323 2.2mm

¥0.4708 

阶梯数 价格
1: ¥0.4708
25: ¥0.4056
100: ¥0.3499
1,000: ¥0.3016
3,000: ¥0.2999
6,000: ¥0.276
9,000 对比

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