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BC857BDW1T1G  与  BC857BS,115  区别

型号 BC857BDW1T1G BC857BS,115
唯样编号 A32-BC857BDW1T1G A-BC857BS,115
制造商 ON Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用三极管 通用三极管
描述 TRANS 2PNP 45V 0.1A 6TSSOP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
电流-集电极截止(最大值) 15nA(ICBO) -
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO) -
电流-集电极(Ic)(最大值) 100mA -
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA -
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V -
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100mA -
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -65℃~150℃
VCBO - -50V
VEBO - -5V
频率 - 跃迁 100MHz -
晶体管类型 - PNP
功率耗散Pd - 300mW
特征频率fT - 100MHz
集电极-射极饱和电压 - -400mV
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) 650mV @ 5mA,100mA -
FET类型 P-Channel -
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V -
频率-跃迁 100MHz -
集电极_发射极击穿电压VCEO 45V -
尺寸 - 2.1*1.25*0.95
集电极连续电流 - -100mA
集电极最大允许电流Ic 0.1A -
直流电流增益hFE - 200
集电极-发射极最大电压VCEO - -45V
库存与单价
库存 1,900 9,000
工厂交货期 7 - 14天 3 - 5天
单价(含税)
1+ :  ¥0.222
25+ :  ¥0.1914
100+ :  ¥0.1649
1,000+ :  ¥0.1421
570+ :  ¥0.217
1,000+ :  ¥0.1682
1,500+ :  ¥0.1379
3,000+ :  ¥0.122
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BC857BDW1T1G ON Semiconductor  数据手册 通用三极管

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

¥0.222 

阶梯数 价格
1: ¥0.222
25: ¥0.1914
100: ¥0.1649
1,000: ¥0.1421
1,900 当前型号
UMT1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

暂无价格 69,070 对比
BC857BS-7-F Diodes Incorporated  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.3536 

阶梯数 价格
150: ¥0.3536
200: ¥0.2625
1,500: ¥0.2295
3,000: ¥0.201
56,165 对比
BC857BS,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

BC857BS_SOT-363

¥0.6919 

阶梯数 价格
80: ¥0.6919
200: ¥0.273
1,500: ¥0.1965
3,000: ¥0.1356
24,645 对比
BC857BS,115 Nexperia  数据手册 通用三极管

BC857BS_SOT-363

¥0.217 

阶梯数 价格
570: ¥0.217
1,000: ¥0.1682
1,500: ¥0.1379
3,000: ¥0.122
9,000 对比
UMT1NTN ROHM Semiconductor  数据手册 通用三极管

SOT-363

¥0.9954 

阶梯数 价格
1: ¥0.9954
100: ¥0.5315
3,000: ¥0.3843
8,694 对比

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