首页 > 商品目录 > > > > ZXMP6A13FTA代替型号比较

ZXMP6A13FTA  与  BSR315PL6327HTSA1  区别

型号 ZXMP6A13FTA BSR315PL6327HTSA1
唯样编号 A3-ZXMP6A13FTA A-BSR315PL6327HTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.4mm -
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 600mΩ -
上升时间 2.2ns -
Qg-栅极电荷 5.9nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 176pF @ 25V
栅极电压Vgs 1V -
正向跨导 - 最小值 1.8S -
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.1A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 6nC @ 10V
配置 Single -
长度 3.04mm -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 800 毫欧 @ 620mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
下降时间 5.7ns -
高度 1.02mm -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 806mW -
典型关闭延迟时间 11.2ns -
FET类型 P-Channel P 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 160uA
系列 ZXMP6A -
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 219pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 620mA(Ta)
漏源电压(Vdss) - 60V
典型接通延迟时间 1.6ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

暂无价格 0 当前型号
FDN5618P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 92,000 对比
ZXMP6A13FQTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
750: ¥1.0296
1,500: ¥0.935
3,000: ¥0.858
11,395 对比
FDN5618P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 9 对比
FDN5618P ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSR315PL6327HTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售