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STP24N60DM2  与  IPP60R160C6  区别

型号 STP24N60DM2 IPP60R160C6
唯样编号 A3-STP24N60DM2 A-IPP60R160C6
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 600 V 0.2 Ohm 29 nC 150 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 200mΩ@9A,10V 140mΩ
上升时间 - 13ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 150W(Tc) 176W
Qg-栅极电荷 - 75nC
栅极电压Vgs ±25V 20V
典型关闭延迟时间 - 96ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 23.8A
系列 FDmesh™ II Plus CoolMOSC6
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1055pF @ 100V -
长度 - 10mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 29nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 8ns
高度 - 15.65mm
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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